收藏本站
NTMFS4851N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
100
V DS = 15 V
ID = 15 A
V GS = 11.5 V
30
28
26
24
22
20
18
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
1
1
t d(off)
t r
t d(on)
t f
10
100
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
110
100
90
80
70
60
50
ID = 27 A
10 ms
40
1
0.1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
dc
100
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
120
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
100
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
100
125 ° C
100 ° C
25 ° C
80
60
40
20
V DS = 1.5 V
10
0
0
10
20
30
40
50
60 70
80
90 100 110 120
1
0.1
1
10
100
1000
10,000
DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. g FS vs. Drain Current
http://onsemi.com
5
PULSE WIDTH ( m s)
Figure 14. Avalanche Characteristics
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTMFS4852NT1G MOSFET N-CH 30V 16A SO8 FL
NTMFS4854NST1G MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
NTMFS4897NFT1G MOSFET N-CH 30V SO-8FL
NTMFS4899NFT3G MOSFET N-CH 30V 10.4A SO-8FL
NTMFS4921NT1G MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL
NTMFS4922NET1G MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FL
NTMFS4923NET3G MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL
NTMFS4925NET1G MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL
相关代理商/技术参数
NTMFS4852N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 155 A, Single N−Channel, SO−8 FL
NTMFS4852NT1G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4852NT3G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4854NST1G 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4854NST3G 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4897NF 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL
NTMFS4897NFT1G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4897NFT3G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube